سریع‌ترین حافظه فلش جهان با سرعت ۴۰۰ پیکوثانیه

اقتصاد100- پژوهشگران دانشگاه فودان شانگهای حافظه‌ای فوق‌سریع با سرعت بی‌سابقه ۴۰۰ پیکوثانیه توسعه داده‌اند که انقلابی در دنیای حافظه‌ها ایجاد کرده و می‌تواند تحولی بزرگ در فناوری‌های هوش مصنوعی رقم بزند.

سریع‌ترین حافظه فلش جهان با سرعت ۴۰۰ پیکوثانیه

تیمی از پژوهشگران دانشگاه فودان شانگهای موفق شده‌اند نوعی حافظه فلش فوق‌سریع با قابلیت عملکرد در سطح پیکوثانیه را توسعه دهند. اما فناوری حافظه در سطح پیکوثانیه چه معنایی دارد؟ این نوع حافظه قادر است داده‌ها را در کمتر از یک‌هزارم نانوثانیه یا به عبارتی یک تریلیونیم ثانیه خوانده یا نوشته کند.

رکورد زمانی بی‌سابقه در حافظه‌های جدید

تراشه‌ای که به نام PoX (مخفف Phase-change Oxide) شناخته می‌شود، توانایی تغییر وضعیت در تنها ۴۰۰ پیکوثانیه را داراست؛ رکوردی بی‌سابقه که بسیار سریع‌تر از فناوری‌های حافظه قبلی با بازه زمانی دو میلیون عملیات در ثانیه است.

به عنوان مقایسه، حافظه‌های سنتی مانند SRAM و DRAM، که معمولاً برای ذخیره موقت اطلاعات استفاده می‌شوند، در بازه‌ی زمانی ۱ تا ۱۰ نانوثانیه داده‌ها را نوشته یا بازیابی می‌کنند؛ اما در صورت قطع برق، همه داده‌های ذخیره شده روی این حافظه‌ها از بین می‌رود.

تفاوت حافظه PoX با حافظه‌های رایج

برخلاف حافظه‌های رایج، حافظه فلش مورد استفاده در SSDها و فلش‌درایوهای USB، غیرفرار است و داده‌ها حتی بدون برق نیز حفظ می‌شوند. با این حال، کندی قابل توجه این حافظه‌ها باعث می‌شود که برای سیستم‌های پیشرفته و مدرن که نیاز به سرعت بالا در جابه‌جایی داده‌ها دارند، چندان مناسب نباشند.

 

مزایای حافظه فوق‌سریع PoX

حافظه PoX با ترکیب سرعت خارق‌العاده در سطح پیکوثانیه و مصرف انرژی بسیار پایین، می‌تواند مشکلات دیرینه سخت‌افزارهای مرتبط با هوش مصنوعی را حل کند. به‌ویژه در مواردی که بخش عمده‌ای از انرژی صرف انتقال داده می‌شود، نه پردازش آن.

تیم تحقیقاتی دانشگاه فودان به رهبری پروفسور ژو پنگ، ساختار حافظه فلش را به طور کامل از پایه طراحی کرده‌اند. در این فناوری به جای سیلیکون‌های سنتی، از گرافن دوبعدی دیراک استفاده شده است؛ ماده‌ای که به دلیل تحرک بالای بار الکتریکی‌، عملکردی برتر دارد.

نوآوری در طراحی حافظه‌ها

پژوهشگران دانشگاه فودان توانسته‌اند با تنظیم طول کانال حافظه، پدیده‌ای موسوم به «سوپر-تزریق دوبعدی» را ایجاد کنند. این دستاورد به جریان سریع و تقریباً نامحدود شارژ به لایه ذخیره‌سازی حافظه منجر می‌شود و می‌تواند محدودیت‌های سرعتی حافظه‌های رایج را برطرف کند.

تیم دانشگاه فودان با بهره‌گیری از الگوریتم‌های هوش مصنوعی برای بهینه‌سازی فرآیند تست، توانسته‌اند مسیر کاربردی این فناوری را هموار کنند و عملکرد آن را به‌شدت بهبود دهند.

مسیر تجاری‌سازی حافظه PoX

برای تسریع در تجاری‌شدن فناوری نوین PoX، دانشگاه فودان همکاری نزدیکی با شرکای صنعتی انجام داده و طراحی اولیه تراشه با تاییدیه‌های لازم همراه بوده است. نتایج اولیه این پژوهش‌ها کاملاً امیدوارکننده به نظر می‌رسند.

منبع:زومیت

وبگردی
    ارسال نظر